TRANSISTOR EGFET PARA DETECÇÃO DE ÍONS METÁLICOS EM SOLUÇÕES AQUOSAS

Vinicius Jessé Rodrigues de Oliveira Patzer; Luís Henrique Tigre Bertoldo; Neri Alves

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Trabalho

Título do Trabalho

TRANSISTOR EGFET PARA DETECÇÃO DE ÍONS METÁLICOS EM SOLUÇÕES AQUOSAS

Autores

Vinicius Jessé Rodrigues de Oliveira Patzer
Luís Henrique Tigre Bertoldo
Neri Alves

Modalidade

Resumo

Área temática

Ciência dos Materiais

Data de Publicação

23/01/2026

País da Publicação

Brasil

Idioma da Publicação

pt-BR

Página do Trabalho

https://www.even3.com.br/anais/virtppgctm-571248/1418576-transistor-egfet-para-deteccao-de-ions-metalicos-em-solucoes-aquosas

ISBN

978-65-272-2157-9

Palavras-Chave

Transistor de eletrólito no gate, Óxido de Zinco, Sensor, Íons metálicos.

Resumo

A contaminação de recursos hídricos por metais pesados, como chumbo e mercúrio, é um grave problema ambiental e de saúde pública. Esses elementos, muito empregados em processos industriais e urbanos, acumulam-se em solos e afluentes, comprometendo a qualidade da água e da produção agrícola, além de trazer riscos à saúde humana por bioacumulação na cadeia alimentar. O monitoramento desses contaminantes é essencial, porém técnicas convencionais, como ICP-MS e AAS, exigem infraestrutura complexa e alto custo, limitando seu uso em campo. Nesse contexto, transistores de efeito de campo com eletrólito no gate (EGFETs-Electrolyte-Gated Field-Effect Transistors) surgem como alternativa promissora. Diferente dos sensores convencionais, o EGFET pode ser analisada a partir de curvas de transferência, saída e parâmetros elétricos do transistor, como a variação de tensão de limiar (Vth) e o comportamento de histerese, que refletem interações entre os íons da solução e a superfície do canal semicondutor [1]. Neste trabalho, foram estudados transistores com eletrólito no gate, utilizando eletrodos de óxido de índio e estanho (ITO) comercial como substrato condutor e filmes de óxido de zinco (ZnO) como semicondutor, depositados por spray pirólise. O método de baixo custo produziu filmes homogêneos com o substrato aquecido entre 350-400 °C. As medidas mostraram comportamento típico de dispositivos tipo n, com deslocamento da tensão de limiar (ΔVth) relacionado à densidade de cargas induzidas por íons metálicos, confirmando o potencial do dispositivo como sensor. Assim, o dispositivo fabricado mostrou-se viável para aplicações em sensores portáteis ou reutilizáveis, sendo uma alternativa econômica às técnicas tradicionais para o monitoramento ambiental sustentável. [1] VIEIRA, D. H. et al. Printed in-plane electrolyte-gated transistor based on zinc oxide. Semicond. Sci. Technol., 37(3), 035007, 2022. AGRADECIMENTOS: FAPESP: projeto nº 2024/14533-6, INEO/CNPq, CAPES,UNESP, LADSOR, GN3

Título do Evento: 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais
Cidade do Evento: Presidente Prudente
Título dos Anais do Evento: Anais da 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais
Nome da Editora: Even3
Meio de Divulgação: Meio Digital

Como citar

PATZER, Vinicius Jessé Rodrigues de Oliveira; BERTOLDO, Luís Henrique Tigre; ALVES, Neri. TRANSISTOR EGFET PARA DETECÇÃO DE ÍONS METÁLICOS EM SOLUÇÕES AQUOSAS.. In: Anais da 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais. Anais...Presidente Prudente(SP) UNESP, 2025. Disponível em: https//www.even3.com.br/anais/virtppgctm-571248/1418576-TRANSISTOR-EGFET-PARA-DETECCAO-DE-IONS-METALICOS-EM-SOLUCOES-AQUOSAS. Acesso em: 16/03/2026