DIODOS SCHOTTKY ECOLÓGICOS À BASE DE ZINCO PARA APLICAÇÕES EM TRANSISTORES VERTICAIS VISANDO A ELETRÔNICA SUSTENTÁVEL

Luís Henrique Tigre Bertoldo; Maíza da Silva Ozório; Douglas Henrique Vieira; Rogério Miranda Morais; Vinicius Jessé Rodrigues de Oliveira Patzer; Neri Alves

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Trabalho

Título do Trabalho

DIODOS SCHOTTKY ECOLÓGICOS À BASE DE ZINCO PARA APLICAÇÕES EM TRANSISTORES VERTICAIS VISANDO A ELETRÔNICA SUSTENTÁVEL

Autores

Luís Henrique Tigre Bertoldo
Maíza da Silva Ozório
Douglas Henrique Vieira
Rogério Miranda Morais
Vinicius Jessé Rodrigues de Oliveira Patzer
Neri Alves

Modalidade

Resumo

Área temática

Ciência dos Materiais

Data de Publicação

23/01/2026

País da Publicação

Brasil

Idioma da Publicação

pt-BR

Página do Trabalho

https://www.even3.com.br/anais/virtppgctm-571248/1418605-diodos-schottky-ecologicos-a-base-de-zinco-para-aplicacoes-em-transistores-verticais-visando-a-eletronica-susten

ISBN

978-65-272-2157-9

Palavras-Chave

Diodo Schottky, Sustentabilidade, Óxido de zinco, Zinco, Nanotubos de Carbono, Transistor

Resumo

A eletrônica transiente dedica-se ao desenvolvimento de dispositivos projetados para operar por tempo limitado e se degradarem de forma controlada. Essa área tem despertado interesse por seu potencial em aplicações biomédicas e sustentáveis. Neste trabalho é apresentado um diodo Schottky (SD) totalmente impresso e ecológico, fabricado sobre papel kraft com zinco (Zn), nanopartículas de óxido de zinco (ZnO-NP) e nanotubos de carbono (CNT), visando sua aplicação como célula ativa em um transistor vertical. O contato ôhmico e o Schottky foram formados, respectivamente, nas interfaces Zn/ZnO e ZnO/CNT. O SD foi produzido por deposição sequencial de Zn, ZnO-NP e CNT sobre papel, em baixas temperaturas (<220 °C), por pintura manual e spray coating. O processo resultou em junções com comportamento retificador, indicando potencial para eletrônica sustentável. Também foi desenvolvida uma segunda arquitetura substituindo o Zn por ITO, na qual uma gota de mel atuou como eletrólito, formando o transistor de efeito de campo vertical com gate eletrolítico (EGVFET) na estrutura ITO/ZnO/CNT/Mel/C. As caracterizações, realizadas com o sistema Keithley SCS 4200, forneceram curvas I–V, de saída e de transferência. Os parâmetros do SD, obtidos pelos métodos de Cheung e Norde, revelaram razão de retificação de três ordens de grandeza, fator de idealidade 8, resistências de 2,2 kΩ (Cheung) e 3,3 kΩ (Norde) e altura de barreira de 0,75 eV. O EGVFET apresentou modulação da barreira Schottky pela tensão de gate, com transição do comportamento retificador para resistivo e razão ON/OFF de quatro ordens de grandeza. Os resultados confirmam a viabilidade das junções Zn/ZnO/CNT e ZnO/CNT, evidenciando o potencial dessa estrutura para uma eletrônica mais sustentável. Agradecimentos: FAPESP (2021/01161-4, 2022/12332-7, 2023/10351-7, 2023/14843-1), CAPES, CNPq e POSMAT. Referência: [1] A. Zareei et al., Adv. Mater. Technol., 7(10), 2022, doi: 10.1002/admt.202101722.

Título do Evento: 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais
Cidade do Evento: Presidente Prudente
Título dos Anais do Evento: Anais da 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais
Nome da Editora: Even3
Meio de Divulgação: Meio Digital

Como citar

BERTOLDO, Luís Henrique Tigre et al.. DIODOS SCHOTTKY ECOLÓGICOS À BASE DE ZINCO PARA APLICAÇÕES EM TRANSISTORES VERTICAIS VISANDO A ELETRÔNICA SUSTENTÁVEL.. In: Anais da 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais. Anais...Presidente Prudente(SP) UNESP, 2025. Disponível em: https//www.even3.com.br/anais/virtppgctm-571248/1418605-DIODOS-SCHOTTKY-ECOLOGICOS-A-BASE-DE-ZINCO-PARA-APLICACOES-EM-TRANSISTORES-VERTICAIS-VISANDO-A-ELETRONICA-SUSTEN. Acesso em: 17/02/2026