FORMAÇÃO DE DIODOS CAPACITIVOS OU LEDS A PARTIR DA HETEROJUNÇÃO P-N DE FILMES FINOS DE ÓXIDOS SEMICONDUTORES E DERIVADOS QUINOLÍNICOS

Augusto Eric Rabaza Jepsen; Natalia Carli de Oliveira; Luiz Felipe Kaezmarek Pedrini; Luis Vicente de Andrade Scalvi

Título do Trabalho

Autores

Augusto Eric Rabaza Jepsen
Natalia Carli de Oliveira
Luiz Felipe Kaezmarek Pedrini
Luis Vicente de Andrade Scalvi

Modalidade

Resumo

Área temática

Ciência dos Materiais

Data de Publicação

23/01/2026

País da Publicação

Brasil

Idioma da Publicação

pt-BR

Página do Trabalho

https://www.even3.com.br/anais/virtppgctm-571248/1414580-formacao-de-diodos-capacitivos-ou-leds-a-partir-da-heterojuncao-p-n-de-filmes-finos-de-oxidos-semicondutores-e-d

ISBN

978-65-272-2157-9

Palavras-Chave

optoeletrônica, dispositivos híbridos, semicondutores orgânicos, óxidos

Resumo

A heteroestrutura formada pelo composto orgânico, derivado quinolínico (DQ), que é um semicondutor do tipo p [1] com óxidos inorgânicos do tipo n, apresenta alto potencial para aplicação em dispositivos optoeletrônicos, como LEDs e células solares de alto desempenho [2]. O DQ utilizado é o 4-(6-(dietilamino)-4-fenilquinolin-2-il) ácido benzóico, este é solubilizado em acetona e depositado via spin-coating. Dados de espectroscopia UV-Vis mostram boa transparência na região do visível, e bandas de absorção em 350 e 428 nm. Fotoluminescência indica um pico de emissão em torno de 500 nm quando excitado com luz de comprimento de onda de absorção máxima. A adição dos surfactantes em solução como Triton- X100 e Brij, em baixas concentrações, aumenta a uniformidade e intensidade da emissão, o que contribui para o desempenho optoeletrônico. Por outro lado, a deposição dos filmes óxidos de SnO₂ e TiO₂ é realizada via sol-gel dip-coating, com tratamentos térmicos de 550 °C, resultando em filmes com boa cristalinidade. Esse tipo de combinação tem levado a comportamentos interessantes do ponto de vista do transporte elétrico. Em medidas de IxV da heterojunção DQ/SnO2, observou-se um comportamento de diodo capacitivo, onde a interface rugosa somada com o uso de surfactantes, geram um acúmulo de cargas na região, afetando comportamento retificador, que seria típico de uma junção p–n. A heterojunção DQ/TiO2 também apresentou comportamento elétrico retificador e quando o inorgânico foi dopado com terras raras apresentou emissão de luz na região do azul devido a defeitos intrabandgaps que ajudam os elétrons a vencerem a barreira de potencial formada na heterojunção. Agradecimentos: PIBIC UNESP e CNPq e aos processos FAPESP 2022/12998-5 e 2025/04274-5 e ao Prof. Luiz Carlos da Silva Filho. Referências: [1] G. Lewinska1, J. Sanetra, K. W. Marszalek, J Mater Sci: Mater Electron 2021, 32,18451–18465 [2] S. Pan, G. Li, Recent Patents on Nanotechnology 2011, 5, 138-161.

Título do Evento: 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais
Cidade do Evento: Presidente Prudente
Título dos Anais do Evento: Anais da 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais
Nome da Editora: Even3
Meio de Divulgação: Meio Digital

Como citar

JEPSEN, Augusto Eric Rabaza et al.. FORMAÇÃO DE DIODOS CAPACITIVOS OU LEDS A PARTIR DA HETEROJUNÇÃO P-N DE FILMES FINOS DE ÓXIDOS SEMICONDUTORES E DERIVADOS QUINOLÍNICOS.. In: Anais da 6ª Reunião Técnica do Programa de Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais. Anais...Presidente Prudente(SP) UNESP, 2025. Disponível em: https//www.even3.com.br/anais/virtppgctm-571248/1414580-FORMACAO-DE-DIODOS-CAPACITIVOS-OU-LEDS-A-PARTIR-DA-HETEROJUNCAO-P-N-DE-FILMES-FINOS-DE-OXIDOS-SEMICONDUTORES-E-D. Acesso em: 12/02/2026